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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 1.71 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12.1 A | 最大漏极电流 (ID)： | 12.1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.014 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MS-012AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 3.7 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDS6910 | FAIRCHILD |
功能相似  |
Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
|
| FDS6982AS | FAIRCHILD |
功能相似 |
Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4204DY | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 20 V MOSFET |
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| SI4204DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 20 V MOSFET |
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| SI4205-BM | SILICON |
获取价格 |
RF and Baseband Circuit, CMOS, 8 X 8 MM, LGA-32 |
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| SI4205-BMR | SILICON |
获取价格 |
RF and Baseband Circuit, CMOS, 8 X 8 MM, LGA-32 |
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| SI4206-BM | SILICON |
获取价格 |
RF and Baseband Circuit, CMOS, 8 X 8 MM, LEAD FREE, LGA-32 |
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| SI4206-BMR | SILICON |
获取价格 |
RF and Baseband Circuit, CMOS, 8 X 8 MM, LEAD FREE, LGA-32 |
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| SI4210DY | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI4210DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI4214DDY | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| Si4214DDY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
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