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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.36 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 573363 | Samacsys Pin Count： | 8 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category： | Small Outline Packages |
| Samacsys Footprint Name： | SO8 | Samacsys Released Date： | 2019-02-24 09:33:44 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 19.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0046 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | PURE MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4205-BM | SILICON |
获取价格 |
RF and Baseband Circuit, CMOS, 8 X 8 MM, LGA-32 |
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| SI4205-BMR | SILICON |
获取价格 |
RF and Baseband Circuit, CMOS, 8 X 8 MM, LGA-32 |
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| SI4206-BM | SILICON |
获取价格 |
RF and Baseband Circuit, CMOS, 8 X 8 MM, LEAD FREE, LGA-32 |
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| SI4206-BMR | SILICON |
获取价格 |
RF and Baseband Circuit, CMOS, 8 X 8 MM, LEAD FREE, LGA-32 |
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| SI4210DY | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI4210DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI4214DDY | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| Si4214DDY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
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| SI4214DDY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI4214DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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