生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | LGA |
包装说明: | LFLGA, | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.84 | JESD-30 代码: | S-XBGA-B32 |
长度: | 8 mm | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -20 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | LFLGA | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.42 mm | 标称供电电压: | 2.85 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
电信集成电路类型: | RF AND BASEBAND CIRCUIT | 温度等级: | OTHER |
端子形式: | BUTT | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI4206-BM | SILICON |
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RF and Baseband Circuit, CMOS, 8 X 8 MM, LEAD FREE, LGA-32 | |
SI4206-BMR | SILICON |
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RF and Baseband Circuit, CMOS, 8 X 8 MM, LEAD FREE, LGA-32 | |
SI4210DY | VISHAY |
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Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SI4210DY-T1-GE3 | VISHAY |
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Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SI4214DDY | VISHAY |
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Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
Si4214DDY-T1-E3 | VISHAY |
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Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET | |
SI4214DDY-T1-GE3 | VISHAY |
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Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SI4214DY-T1-GE3 | VISHAY |
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Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SI4226DY-T1-E3 | VISHAY |
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MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC | |
SI4226DY-T1-GE3 | VISHAY |
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MOSFET N-CH DUAL 25V 8A 8-SOIC |