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FDS6912A PDF预览

FDS6912A

更新时间： 2024-10-01 11:15:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 239K
描述
双 N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，30V，6A，28mΩ

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FDS6912A 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.98
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：438800Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：SOIC8 CASE751EBSamacsys Released Date：2017-10-18 23:58:37
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.028 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS6912A 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – Dual, N-Channel,  
Logic Level,  
POWERTRENCH)  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DSS  
DS(ON)  
30 V  
28 mW @ V = 10 V  
6.0 A  
5.0 A  
GS  
35 mW @ V = 4.5 V  
GS  
30 V, 6 A, 28 mW  
D1  
D1  
FDS6912A  
D2  
D2  
General Description  
G1  
S1  
G2  
These N−Channel Logic Level MOSFETs are produced using  
onsemi’s advanced POWERTRENCH process that has been  
especially tailored to minimize the on−state resistance and yet  
maintain superior switching performance.  
These devices are well suited for low voltage and battery powered  
applications where low in−line power loss and fast switching are  
required.  
S2  
Pin 1  
SOIC8  
CASE 751EB  
MARKING DIAGRAM  
Features  
FDS6912A  
ALYW  
• 6.0 A, 30 V  
R
R
= 28 mW @ V = 10 V  
GS  
DS(ON)  
= 35 mW @ V = 4.5 V  
DS(ON)  
GS  
• Fast Switching Speed  
• Low Gate Charge  
FDS6912A  
A
= Specific Device Code  
= Assembly Site  
• High Performance Trench Technology for Extremely Low R  
• High Power and Current Handling Capability  
• This Device is Pb−Free and Halogen Free  
L
YW  
= Wafer Lot Number  
= Assembly Start Week  
DS(ON)  
PIN ASSIGNMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
5
6
7
8
4
3
2
1
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
Ratings  
Unit  
V
V
DSS  
V
GSS  
30  
Q1  
Q2  
Gate−Source Voltage  
20  
V
I
D
Drain Current  
− Continuous (Note 1a)  
− Pulsed  
6
A
20  
1.6  
P
D
Power Dissipation (Note 1a)  
for Single  
(Note 1b)  
Operation  
W
1.0  
Dual N−Channel MOSFET  
(Note 1c)  
0.9  
T , T  
Operating and Storage  
Junction Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
ORDERING INFORMATION  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
†
Device  
FDS6912A  
Package  
Shipping  
2500 /  
Tape & Reel  
SOIC8  
(Pb−Free)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Unit  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
(Note 1a)  
78  
°C/W  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
(Note 1)  
40  
°C/W  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
January, 2022 − Rev. 5  
FDS6912A/D  
123456

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FDS6912A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDS6690A ONSEMI

类似代替

 单 N 沟道，逻辑电平，Power Trench® MOSFET，30V，11A，12.5
FDS6930A ONSEMI

类似代替

 双 N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，30V，5.5A，40mΩ
FDS6930A FAIRCHILD

功能相似

 Dual N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET

与FDS6912A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS6912A_03 FAIRCHILD

获取价格

 		Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDS6912A_NB5E021A FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDS6912A_NB5E028A FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDS6912A_NB5E031A FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDS6912A_NF40 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDS6912A_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDS6912AD84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDS6912AL86Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDS6912AL99Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDS6912A-NB5E0121 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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