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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDS6930B
FDS6930B PDF预览

FDS6930B

更新时间： 2024-09-22 22:20:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
5页 533K
描述
Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

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FDS6930B 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.31
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：4423Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：SO 8L NB (SOIC)Samacsys Released Date：2015-04-16 09:48:08
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.5 A
最大漏极电流 (ID)：5.5 A最大漏源导通电阻：0.038 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：60 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS6930B 数据手册

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June 2005  
FDS6930B  
Dual N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET  
Features  
General Description  
■ 5.5 A, 30 V.  
R
R
= 38 mΩ @ V = 10 V  
These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced using  
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that  
has been especially tailored to minimize the on-state resistance  
and yet maintain superior switching performance.  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
= 50 mΩ @ V = 4.5 V  
GS  
■ Fast switching speed  
■ Low gate charge  
These devices are well suited for low voltage and battery pow-  
ered applications where low in-line power loss and fast switch-  
ing are required.  
■ High performance trench technology for extremely  
low R  
DS(ON)  
■ High power and current handling capability  
D2  
D2  
5
6
7
8
4
3
2
1
D1  
D1  
G2  
S2  
SO-8  
G1  
S1  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
V
V
A
DSS  
V
20  
GSS  
I
Drain Current  
– Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
5.5  
D
20  
P
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1)  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
2
W
D
1.6  
1
0.9  
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to 150  
°C  
J
STG  
Thermal Characteristics  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
θJA  
θJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS6930B  
FDS6930B  
13"  
12mm  
2500 units  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS6930B Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
12345

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FDS6930B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMDF3N04HDR2G ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET 40V 3.4A 80 mOhm Dual N-Channel SO-8, SOIC-8 Narrow Body, 2500-REEL
FDC655BN FAIRCHILD

功能相似

 Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET

与FDS6930B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS6930B (KDS6930B) KEXIN

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 		Dual N-Channel MOSFET
FDS6930B_10 FAIRCHILD

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 		Dual N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSF
FDS6930B_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS6930B-SBNT001 FAIRCHILD

获取价格

 		Transistor
FDS6961 FAIRCHILD

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 		Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
FDS6961A FAIRCHILD

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 		Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
FDS6961A ONSEMI

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 		双 N 沟道逻辑电平 PowerTrench® MOSFET 30V，3.5A，90mΩ
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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS6961AD84Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS6961AL86Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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