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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDS6912A_NL
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FDS6912A_NL

更新时间： 2024-09-30 13:00:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 220K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS6912A_NL 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.28
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.028 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS6912A_NL 数据手册

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January 2000  
FDS6912  
Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel Logic Level MOSFETs have been  
designed specifically to improve the overall efficiency of  
DC/DC converters using either synchronous or  
conventional switching PWM controllers.  
• 6 A, 30 V.  
RDS(ON) = 0.028 Ω @ VGS = 10 V  
DS(ON) = 0.042 Ω @ VGS = 4.5 V.  
R
• Optimized for use in switching DC/DC converters  
with PWM controllers  
These MOSFETs feature faster switching and lower  
gate charge than other MOSFETs with comparable  
RDS(ON) specifications.  
• Very fast switching.  
• Low gate charge  
The result is a MOSFET that is easy and safer to drive  
(even at very high frequencies), and DC/DC power  
supply designs with higher overall efficiency.  
D1  
D1  
5
6
7
8
4
3
2
1
D2  
Q1  
Q2  
D2  
G1  
S1  
SO-8  
G2  
S2  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
30  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
V
A
±20  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
6
20  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
1
(Note 1c)  
0.9  
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS6912  
FDS6912  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS6912 Rev E (W)  
2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS6912AD84Z FAIRCHILD

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