Datasheet > FDS6930B_NL

FDS6930B_NL

更新时间： 2024-09-23 21:17:15

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	528K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SO-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FDS6930B_NL 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.44	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	5.5 A
最大漏源导通电阻：	0.038 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	60 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDS6930B_NL 数据手册

June 2005

FDS6930B

Dual N-Channel Logic Level PowerTrench^®MOSFET

Features

General Description

■ 5.5 A, 30 V.

= 38 mΩ @ V = 10 V

These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced using

Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that

has been especially tailored to minimize the on-state resistance

and yet maintain superior switching performance.

DS(ON)

= 50 mΩ @ V = 4.5 V

■ Fast switching speed

■ Low gate charge

These devices are well suited for low voltage and battery pow-

ered applications where low in-line power loss and fast switch-

ing are required.

■ High performance trench technology for extremely

low R

DS(ON)

■ High power and current handling capability

SO-8

Pin 1

Absolute Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Ratings

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

GSS

Drain Current

– Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

5.5

Power Dissipation for Dual Operation

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1)

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1c)

1.6

0.9

T , T

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to 150

°C

STG

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

°C/W

θJA

θJC

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

FDS6930B

13"

12mm

2500 units

FDS6930B Rev. A

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与FDS6930B_NL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS6930B-SBNT001	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
FDS6961	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
FDS6961A	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
FDS6961A	ONSEMI	获取价格	双 N 沟道逻辑电平 PowerTrench® MOSFET 30V，3.5A，90mΩ
FDS6961A_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS6961AD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS6961AL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS6961AS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS6961AZ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| MATCHED PAIR \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 3.5A I(D) \| SO
FDS6961AZF011	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.09ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met

与FDS6930B_NL相关文章

SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

4
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

6
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

78
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

68

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FDS6930B_NL

FDS6930B_NL 技术参数

FDS6930B_NL 数据手册

与FDS6930B_NL相关器件

与FDS6930B_NL相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FDS6930B_NL

FDS6930B_NL 技术参数

FDS6930B_NL 数据手册

与FDS6930B_NL相关器件

与FDS6930B_NL相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？