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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDS6961A_NL
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FDS6961A_NL

更新时间： 2024-09-23 13:07:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 242K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS6961A_NL 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A
最大漏极电流 (ID)：3.5 A最大漏源导通电阻：0.09 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS6961A_NL 数据手册

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April 1999  
FDS6961A  
Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET  
General Description  
Features  
3.5 A, 30 V. RDS(ON) = 0.090 W @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 0.140 W @ VGS = 4.5 V.  
Fast switching speed.  
These N-Channel Logic Level MOSFETs are  
produced using Fairchild Semiconductor's  
advanced PowerTrench process that has been  
especially tailored to minimize the on-state  
resistance and yet maintain superior switching  
performance.  
Low gate charge (2.1nC typical).  
High performance trench technology for extremely low  
These devices are well suited for low voltage  
and battery powered applications where low  
RDS(ON)  
.
in-line power loss and fast switching  
required.  
are  
High power and current handling capability.  
SuperSOTTM-6  
SO-8  
SOT-223  
SuperSOTTM-8  
SOIC-16  
SOT-23  
D2  
5
4
D2  
D1  
6
3
2
D1  
7
G2  
S2  
1
8
G1  
1
pin  
SO-8  
S1  
Absolute Maximum Ratings TA = 25oC unless other wise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
30  
Gate-Source Voltage  
±20  
V
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
3.5  
A
14  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1)  
2
1.6  
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1
0.9  
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
(Note 1)  
© 1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS6961A Rev.C  
12345678

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FDS6961A_NL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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