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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 0.9 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 1059581 | Samacsys Pin Count： | 6 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category： | SOT23 (6-Pin) |
| Samacsys Footprint Name： | sot-23 | Samacsys Released Date： | 2019-09-18 14:16:04 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.025 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 90 pF | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.6 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDC637BNZ | FAIRCHILD |
类似代替  |
N-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET |
|
| FDC634P | FAIRCHILD |
类似代替 |
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDC655BN_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| FDC655BN-F40 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，逻辑电平，30 V，6.3 A，25 m |
|
| FDC6561 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
|
| FDC6561AN | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
|
| FDC6561AN | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET，逻辑电平，30V，2.5A，95mΩ |
|
| FDC6561AND87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDC658AP | FAIRCHILD |
获取价格 |
Single P-Channel Logic Level PowerTrench? MOSFET -30V, -4A, 50mOhm |
|
| FDC658AP | ONSEMI |
获取价格 |
单 P 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，-30V，-4A，50mΩ |
|
| FDC658AP-F095 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
|
| FDC658P | FAIRCHILD |
获取价格 |
Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
|
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