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FDS6894AZF011

更新时间： 2024-11-20 15:32:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 254K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 0.017ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS6894AZF011 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.75
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.017 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS6894AZF011 数据手册

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September 2001  
PRELIMINARY  
FDS6894AZ  
Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced  
·
8 A, 20 V.  
RDS(ON) = 17 mW @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 20 mW @ VGS = 2.5 V  
RDS(ON) = 30 mW @ VGS = 1.8 V  
using  
Fairchild  
Semiconductor’s  
advanced  
PowerTrench process that has been especially tailored  
to minimize the on-state resistance and yet maintain  
superior switching performance.  
·
·
Low gate charge (14 nC typical)  
These devices are well suited for low voltage and  
battery powered applications where low in-line power  
loss and fast switching are required.  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
·
High power and current handling capability  
D1  
5
6
7
8
4
3
2
D1  
D2  
Q1  
Q2  
D2  
G1  
SO-8  
S1  
G2  
1
S2  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
20  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
± 8  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
8
32  
PD  
W
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
1.6  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.0  
(Note 1c)  
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
RqJA  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RqJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS6894AZ  
FDS6894AZ  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS6894AZ Rev B (W)  
Ó2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS6894AZL86Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 0.017ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDS6898A FAIRCHILD

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FDS6898A ADI

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FDS6898A ONSEMI

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FDS6898AF011 FAIRCHILD

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