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FDS6900AS_NL

更新时间： 2024-11-23 22:49:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 184K
描述
Dual N-Ch PowerTrench SyncFET

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FDS6900AS_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：LEAD FREE, SO-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.31
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.9 A最大漏极电流 (ID)：8.2 A
最大漏源导通电阻：0.022 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS6900AS_NL 数据手册

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May 2005  
FDS6900AS  
Dual N-Ch PowerTrench® SyncFET™  
General Description  
Features  
The FDS6900AS is designed to replace two single SO-  
8 MOSFETs and Schottky diode in synchronous DC:DC  
power supplies that provide various peripheral voltages  
for notebook computers and other battery powered  
electronic devices. FDS6900AS contains two unique  
30V, N-channel, logic level, PowerTrench MOSFETs  
designed to maximize power conversion efficiency.  
•
•
•
Q2:  
Optimized to minimize conduction losses  
Includes SyncFET Schottky body diode  
8.2A, 30V RDS(on) = 22mΩ @ VGS = 10V  
DS(on) = 28mΩ @ VGS = 4.5V  
R
Q1:  
Optimized for low switching losses  
Low Gate Charge (11nC typical)  
The high-side switch (Q1) is designed with specific  
emphasis on reducing switching losses while the low-  
side switch (Q2) is optimized to reduce conduction  
losses. Q2 also includes an integrated Schottky diode  
using Fairchild’s monolithic SyncFET technology.  
6.9A, 30V  
RDS(on) = 27mΩ @ VGS = 10V  
RDS(on) = 34mΩ @ VGS = 4.5V  
100% RG (Gate Resistance) Tested  
S1D2  
1
2
3
4
8
7
6
S1D2  
Q1  
S1D2  
G1  
Q2  
5
S2  
SO-8  
G2
D1  
D1
Dual N-Channel SyncFet  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Q2  
Q1  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
30  
±20  
8.2  
30  
30  
±20  
6.9  
20  
V
V
A
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
1
0.9  
(Note 1c)  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
FDS6900AS  
Device  
Reel Size  
13”  
Tape width  
12mm  
Quantity  
FDS6900AS  
2500 units  
2500 units  
FDS6900AS  
FDS6900AS_NL (Note 4)  
13”  
12mm  
FDS6900AS Rev B(X)  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567...10

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FDS6900AS_NL 替代型号

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