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FDS6898AF011

更新时间： 2024-01-25 06:38:32

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	258K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 20V, 0.014ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS6898AF011 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.74
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	9.4 A	最大漏源导通电阻：	0.014 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	38 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDS6898AF011 数据手册

OCTOBER 2001

FDS6898A

Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench^ÒMOSFET

General Description

Features

These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced

9.4 A, 20 V

R_DS(ON)= 14 mW @ V_GS= 4.5 V

R_DS(ON)= 18 mW @ V_GS= 2.5 V

using

Fairchild

Semiconductor’s

advanced

PowerTrench process that has been especially tailored

to minimize the on-state resistance and yet maintain

superior switching performance.

Low gate charge (16 nC typical)

High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

These devices are well suited for low voltage and

battery powered applications where low in-line power

loss and fast switching are required.

High power and current handling capability

SO-8

Pin 1

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

Units

V_GSS

Gate-Source Voltage

± 12

I_D

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

9.4

P_D

Power Dissipation for Dual Operation

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

1.6

0.9

(Note 1c)

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +150

°C

Thermal Characteristics

R_qJA

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1)

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

R_qJC

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

FDS6898A

13’’

12mm

2500 units

FDS6898A Rev C (W)

Ó2001 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS6898A-F095	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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FDS6898AZ	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
FDS6898AZ	ONSEMI	获取价格	双 N 沟道，逻辑电平，PWM 优化，PowerTrench® MOSFET，20V，9.
FDS6898AZ_10	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
FDS6898AZ_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 20V, 0.014ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
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