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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.32 |
| Samacsys Confidence： | 2 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 1049737 | Samacsys Pin Count： | 8 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (P-Channel) | Samacsys Package Category： | Small Outline Packages |
| Samacsys Footprint Name： | SOIC-8 NB CASE 751-07 ISSUE AK | Samacsys Released Date： | 2018-02-28 22:07:01 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.03 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDS9933BZ | FAIRCHILD |
类似代替  |
Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MO |
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| FDS6875_NL | FAIRCHILD |
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| SI4943BDY-T1-E3 | VISHAY |
功能相似 |
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDS6875_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| FDS6875D84Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| FDS6875L86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| FDS6875L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| FDS6875S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| FDS6890A | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
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| FDS6890A | ONSEMI |
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双 N 沟道，2.5V 指定，PowerTrench™ MOSFET，20V，7.5A，1 |
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| FDS6890A_NL | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.034ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FDS6890AL99Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.019ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FDS6892 | FAIRCHILD |
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