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FDS6875_NL

更新时间： 2024-11-20 13:00:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
8页 196K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS6875_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SOIC-8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.36配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS6875_NL 数据手册

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November 1998  
FDS6875  
Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET  
General Description  
Features  
-6 A, -20 V. RDS(ON) = 0.030 W @ VGS = -4.5 V,  
RDS(ON) = 0.040 W @ VGS = -2.5 V.  
These P-Channel  
2.5V specified MOSFETs are  
produced using Fairchild Semiconductor's advanced  
PowerTrench process that has been especially tailored to  
minimize the on-state resistance and yet maintain low gate  
charge for superior switching performance.  
Low gate charge (23nC typical).  
High performance trench technology for extremely low  
These devices are well suited for portable electronics  
applications: load switching and power management,  
RDS(ON)  
.
High power and current handling capability.  
battery charging and protection circuits.  
SuperSOTTM-6  
SuperSOTTM-8  
SOIC-16  
SOT-23  
SO-8  
SOT-223  
D2  
4
5
6
7
8
D2  
D1  
D1  
3
2
1
G2  
S2  
G1  
pin 1  
SO-8  
S1  
Absolute Maximum Ratings  
TA = 25oC unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
FDS6875  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
-20  
±8  
V
VDSS  
VGSS  
ID  
V
A
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
-6  
-20  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
W
(Note 1a)  
1.6  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1
0.9  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
(Note 1)  
FDS6875 Rev.C  
© 1998 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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FDS6875_NL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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