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FDS6875S62Z

更新时间： 2024-11-24 15:32:19

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	62K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS6875S62Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.76
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	6 A	最大漏源导通电阻：	0.03 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDS6875S62Z 数据手册

November 1998

FDS6875

Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench^TMMOSFET

General Description

Features

-6 A, -20 V. R_DS(ON)= 0.030 W @ V_GS= -4.5 V,

R_DS(ON)= 0.040 W @ V_GS= -2.5 V.

These P-Channel

2.5V specified MOSFETs are

produced using Fairchild Semiconductor's advanced

PowerTrench process that has been especially tailored to

minimize the on-state resistance and yet maintain low gate

charge for superior switching performance.

Low gate charge (23nC typical).

High performance trench technology for extremely low

These devices are well suited for portable electronics

applications: load switching and power management,

R_DS(ON)

High power and current handling capability.

battery charging and protection circuits.

SuperSOT^TM-6

SuperSOT^TM-8

SOIC-16

SOT-23

SO-8

SOT-223

pin 1

SO-8

Absolute Maximum Ratings

T_A= 25^oC unless otherwise noted

Symbol Parameter

FDS6875

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-20

±8

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain Current - Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

-6

-20

P_D

Power Dissipation for Dual Operation

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

1.6

(Note 1b)

(Note 1c)

0.9

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

T_J,T_STG

THERMAL CHARACTERISTICS

R_q_JA

R_q_JC

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

°C/W

(Note 1)

FDS6875 Rev.C

12 3 4 5

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与FDS6875S62Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS6890A	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
FDS6890A	ONSEMI	获取价格	双 N 沟道，2.5V 指定，PowerTrench™ MOSFET，20V，7.5A，1
FDS6890A_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.034ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS6890AL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.019ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS6892	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
FDS6892A	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
FDS6892A	ONSEMI	获取价格	双N沟道逻辑电平PWM优化PowerTrench® MOSFET
FDS6892A_NF073	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.018ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS6892A_NF40	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.018ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS6892A_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.018ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me

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