Datasheet > FDS6892A_NF40

FDS6892A_NF40

更新时间： 2024-02-11 15:58:19

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	75K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.018ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SO-8, 8 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FDS6892A_NF40 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.7	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	7.5 A
最大漏源导通电阻：	0.018 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDS6892A_NF40 数据手册

October 2001

FDS6892A

Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench^ÒMOSFET

General Description

Features

These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced

7.5 A, 20 V.

R_DS(ON)= 18 mW @ V_GS= 4.5 V

R_DS(ON)= 24 mW @ V_GS= 2.5 V

using

Fairchild

Semiconductor’s

advanced

PowerTrench process that has been especially tailored

to minimize the on-state resistance and yet maintain

superior switching performance.

Low gate charge (12 nC)

High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

These devices are well suited for low voltage and

battery powered applications where low in-line power

loss and fast switching are required.

High power and current handling capability

SO-8

Pin 1

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

Units

V_GSS

Gate-Source Voltage

± 12

I_D

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

7.5

P_D

Power Dissipation for Dual Operation

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

1.6

0.9

(Note 1c)

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +150

°C

Thermal Characteristics

R_qJA

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1)

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

R_qJC

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

FDS6892A

13’’

12mm

2500 units

FDS6892A Rev C (W)

Ó2001 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与FDS6892A_NF40相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS6892A_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.018ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS6892AZ	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
FDS6892AZ_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.018ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS6894	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
FDS6894A	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
FDS6894A_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 0.017ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDS6894AZ	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
FDS6894AZ_NL	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
FDS6894AZF011	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 0.017ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDS6894AZL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 0.017ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta

与FDS6892A_NF40相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

4
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

3
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

3
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

5

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FDS6892A_NF40

FDS6892A_NF40 技术参数

FDS6892A_NF40 数据手册

与FDS6892A_NF40相关器件

与FDS6892A_NF40相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FDS6892A_NF40

FDS6892A_NF40 技术参数

FDS6892A_NF40 数据手册

与FDS6892A_NF40相关器件

与FDS6892A_NF40相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？