SI4965DY

更新时间： 2024-11-26 22:50:19

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
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4页	63K
描述
Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

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SI4965DY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI4965DY 数据手册

Si4965DY

Vishay Siliconix

Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.021 @ V = -4.5 V

-8.0

-7.0

-5.8

0.027 @ V = -2.5 V

-8

0.040 @ V = -1.8 V

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4965DY

Si4965DY-T1 (with Tape and Reel)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

-8

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

= 25_C

= 70_C

-8.0

-6.4

a, b

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

-30

a, b

Continuous Source Current (Diode Conduction)

-1.7

= 25_C

= 70_C

2.0

a, b

Maximum Power Dissipation

1.3

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

62.5

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

C/W

Steady State

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board.

b. t v 10 sec.

Document Number: 70826

S-31989—Rev. B, 13-Oct-03

www.vishay.com

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