SI4953DY

更新时间： 2024-09-15 21:54:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管开关脉冲光电二极管
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描述
Dual P-Channel 30-V(D-S) MOSFET

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SI4953DY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.9 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI4953DY 数据手册

Si4953DY

Vishay Siliconix

Dual P-Channel 30-V(D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D 100% R_gTested

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.053 @ V = -10 V

-4.9

-3.6

-30

0.095 @ V = -4.5 V

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4953DY

Si4953DY-T1 (with Tape and Reel)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-30

"20

-4.9

= 25_C

= 70_C

Continuous Drain Current (T = 150_C)

-3.9

Pulsed Drain Current

-30

Continuous Source Current (Diode Conduction)

-1.7

= 25_C

= 70_C

2.0

Maximum Power Dissipation

1.3

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

62.5

_C/W

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com

Document Number: 70153

S-31726—Rev. E, 18-Aug-03

www.vishay.com

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