是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended | 零件包装代码: | SOT |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 7.26 | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4.9 A |
最大漏极电流 (ID): | 4.9 A | 最大漏源导通电阻: | 0.032 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SI4963BDY-T1-GE3 | VISHAY |
完全替代 |
MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC | |
NTMD6P02R2G | ONSEMI |
功能相似 |
Power MOSFET 6 A, 20 V, PâChannel SOICâ8, | |
NTMD6P02R2 | ONSEMI |
功能相似 |
Power MOSFET 6 Amps, 20 Volts P-Channel SO-8, Dual |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI4963BDY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC | |
SI4963DY | FAIRCHILD |
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Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
SI4963DY_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 | |
SI4963DYD84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 0.033ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me | |
SI4963DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor, | |
SI4963DYF011 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 0.033ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me | |
SI4963DYL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 0.033ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me | |
SI4965DY | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | |
SI4965DY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | |
SI4965DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8V, 0.021ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |