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SI4948EY

更新时间： 2024-11-05 22:50:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 57K
描述
Dual P-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET

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SI4948EY 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.83Is Samacsys：N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.1 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.4 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
Base Number Matches：1

SI4948EY 数据手册

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Si4948EY  
Vishay Siliconix  
Dual P-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.120 @ V = –10 V  
"3.1  
"2.8  
GS  
–60  
0.150 @ V = –4.5 V  
GS  
S
1
S
2
SO-8  
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
G
1
G
2
G
1
S
2
G
2
Top View  
D
1
D
1
D
2
D
2
P-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
–60  
"20  
DS  
GS  
V
V
T
= 25_C  
= 70_C  
"3.1  
"2.6  
"30  
A
a
Continuous Drain Current (T = 175_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
S
–2.0  
T
= 25_C  
= 70_C  
2.4  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
D
W
T
A
1.7  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 175  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
62.5  
_C/W  
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.  
Document Number: 70166  
S-99444—Rev. E, 29-Nov-99  
www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600  
2-1  
1234

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