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SI4925DY-T1-E3

更新时间： 2024-11-06 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
5页 72K
描述
Transistor,

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SI4925DY-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.79
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.7 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
Base Number Matches：1

SI4925DY-T1-E3 数据手册

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Si4925DY  
Vishay Siliconix  
Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
Pb-free  
Available  
0.032 @ V = −10 V  
−6.3  
−5.3  
GS  
−30  
0.045 @ V = −4.5 V  
GS  
SO-8  
S
1
S
2
S
G
S
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
1
1
2
2
7
6
5
G
G
2
1
G
Top View  
D
1
D
2
Ordering Information: Si4925DY  
Si4925DY-T1 (with Tape and Reel)  
Si4925DY—E3 (Lead (Pb)-Free)  
Si4925DY-T1—E3 (Lead (Pb)-Free with Tape and Reel)  
P-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
:
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
−30  
DS  
GS  
V
V
"20  
T
= 25_C  
= 70_C  
−6.3  
−5.0  
−4.7  
−3.7  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
−40  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
−1.7  
2
−0.9  
1.1  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
1.3  
0.70  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typ  
Max  
Unit  
t v 10 sec  
Steady-State  
Steady-State  
45  
85  
28  
62.5  
110  
35  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.  
Document Number: 71795  
S-50402—Rev. E, 07-Mar-05  
www.vishay.com  
1
12345

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SI4925DY-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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