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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI4931DY-T1
SI4931DY-T1 PDF预览

SI4931DY-T1

更新时间： 2024-11-08 22:09:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 71K
描述
Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

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SI4931DY-T1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.83Is Samacsys：N
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：12 V
最大漏极电流 (ID)：6.7 A最大漏源导通电阻：0.018 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4931DY-T1 数据手册

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Si4931DY  
Vishay Siliconix  
New Product  
Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D Advanced High Cell Density Process  
APPLICATIONS  
0.018 @ V = −4.5 V  
−8.9  
−8.1  
−3.6  
GS  
D Load Switching  
−12  
0.022 @ V = −2.5  
V
V
GS  
0.028 @ V = −1.8  
GS  
S
1
S
2
SO-8  
S
G
S
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
1
1
2
2
G
G
2
1
7
6
5
G
Top View  
D
1
D
2
Ordering Information: Si4931DY—E3  
Si4931DY-T1—E3 (with Tape and Reel)  
P-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
−12  
DS  
V
V
GS  
"8  
T
= 25_C  
= 70_C  
−6.7  
−5.4  
−8.9  
−7.1  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
DM  
−30  
a
continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
−1.7  
2.0  
−0.9  
1.1  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
1.3  
0.7  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
46  
80  
24  
62.5  
110  
32  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on 1 ” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72379  
S-32411—Rev. B, 24-Nov-03  
www.vishay.com  
1
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4931DY-T1-E3 VISHAY

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