Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI4936ADY-T1

SI4936ADY-T1

更新时间： 2024-09-15 22:05:23

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	62K
描述
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SI4936ADY-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.85	Is Samacsys：	N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.4 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

SI4936ADY-T1 数据手册

Si4936ADY

Vishay Siliconix

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.036 @ V = 10 V

5.9

4.9

0.053 @ V = 4.5 V

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4936ADY

Si4936ADY-T1 (with Tape and Reel)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 70_C

5.9

4.7

4.4

3.6

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

"30

Continuous Source Current (Diode Conduction)

1.7

2.0

1.3

0.9

1.1

0.7

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

62.5

110

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71132

S-31989—Rev. B, 13-Oct-03

www.vishay.com

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与SI4936ADY-T1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI4936ADY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
Si4936BDY	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4936BDY-T1-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 6.9 A, 30 V, 0.035 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT
SI4936CDY	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4936CDY-T1-E3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI4936CDY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4936DY	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4936DY	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
SI4936DY_NL	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
SI4936DY-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET