SI4944DY

更新时间： 2024-09-15 22:50:19

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
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5页	70K
描述
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI4944DY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.89
Is Samacsys：	N	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9.3 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.3 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI4944DY 数据手册

Si4944DY

Vishay Siliconix

New Product

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D 100% R_gTested

APPLICATIONS

0.0095 @ V = 10 V

12.2

9.4

0.016 @ V = 4.5 V

D DC/DC Conversion

D Load Switching

SO-8

Top View

N-Channel MOSFET

Ordering Information: Si4944DY

Si4944DY-T1 (with Tape and Reel)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 85_C

12.2

8.8

9.3

6.7

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

1.9

2.3

1.2

1.1

1.3

0.7

= 25_C

= 85_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 72512

S-32131—Rev. A, 27-Oct-03

www.vishay.com

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