5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI4936CDY-T1-GE3
SI4936CDY-T1-GE3 PDF预览

SI4936CDY-T1-GE3

更新时间： 2024-09-16 09:26:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 254K
描述
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI4936CDY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：3.19
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：0.04 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4936CDY-T1-GE3 数据手册

 浏览型号SI4936CDY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI4936CDY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI4936CDY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI4936CDY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI4936CDY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SI4936CDY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第7页 
New Product  
Si4936CDY  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)d  
5.8  
Definition  
• TrenchFET® Power MOSFET  
0.040 at VGS = 10 V  
0.050 at VGS = 4.5 V  
30  
2.8 nC  
5.5  
APPLICATIONS  
•
•
Low Current DC/DC Conversion  
Notebook System Power  
SO-8  
D
1
D
2
D
1
S
1
2
3
4
8
7
6
5
1
D
1
G
1
2
D
2
S
G
D
2
2
G
G
2
1
Top View  
S
1
S
2
Ordering Information: Si4936CDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
T
C = 25 °C  
5.8  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
4.6  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
5.0a, b  
4.0a, b  
20  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
1.9  
1.4a, b  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
2.3  
1.5  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
1.7a, b  
1.1a, b  
- 55 to 150  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
°C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambienta, c  
Symbol  
Typical  
58  
Maximum  
Unit  
RthJA  
RthJF  
t ≤ 10 s  
Steady State  
75  
55  
°C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
42  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 10 s.  
c. Maximum under Steady State conditions is 110 °C/W.  
d. Based on TC = 25 °C.  
Document Number: 69097  
S09-0390-Rev. C, 09-Mar-09  
www.vishay.com  
1
1234567...10

中文翻译

下载PDF

SI4936CDY-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4936CDY-T1-E3 VISHAY

完全替代

 Small Signal Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI9936BDY-T1-GE3 VISHAY

类似代替

 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

与SI4936CDY-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4936DY VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4936DY FAIRCHILD

获取价格

 		Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
SI4936DY_NL FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
SI4936DY-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4936DYL99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.037ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
SI4936DYS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.037ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
SI4936DY-T1 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4936DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4940DY VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI4940DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 40V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal

与SI4936CDY-T1-GE3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证