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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI4936CDY-T1-GE3
SI4936CDY-T1-GE3 PDF预览

SI4936CDY-T1-GE3

更新时间： 2024-11-09 09:26:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 254K
描述
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI4936CDY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：3.19
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：0.04 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4936CDY-T1-GE3 数据手册

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New Product  
Si4936CDY  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)d  
5.8  
Definition  
• TrenchFET® Power MOSFET  
0.040 at VGS = 10 V  
0.050 at VGS = 4.5 V  
30  
2.8 nC  
5.5  
APPLICATIONS  
•
•
Low Current DC/DC Conversion  
Notebook System Power  
SO-8  
D
1
D
2
D
1
S
1
2
3
4
8
7
6
5
1
D
1
G
1
2
D
2
S
G
D
2
2
G
G
2
1
Top View  
S
1
S
2
Ordering Information: Si4936CDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
T
C = 25 °C  
5.8  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
4.6  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
5.0a, b  
4.0a, b  
20  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
1.9  
1.4a, b  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
2.3  
1.5  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
1.7a, b  
1.1a, b  
- 55 to 150  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
°C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambienta, c  
Symbol  
Typical  
58  
Maximum  
Unit  
RthJA  
RthJF  
t ≤ 10 s  
Steady State  
75  
55  
°C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
42  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 10 s.  
c. Maximum under Steady State conditions is 110 °C/W.  
d. Based on TC = 25 °C.  
Document Number: 69097  
S09-0390-Rev. C, 09-Mar-09  
www.vishay.com  
1
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SI4936CDY-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4936CDY-T1-E3 VISHAY

完全替代

 Small Signal Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI9936BDY-T1-GE3 VISHAY

类似代替

 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4936DY VISHAY

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SI4936DY FAIRCHILD

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SI4936DY_NL FAIRCHILD

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 		暂无描述
SI4936DY-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.037ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
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