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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI4944DY-T1
SI4944DY-T1 PDF预览

SI4944DY-T1

更新时间： 2024-09-15 22:08:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 70K
描述
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI4944DY-T1 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.3 A最大漏极电流 (ID)：9.3 A
最大漏源导通电阻：0.0095 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4944DY-T1 数据手册

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Si4944DY  
Vishay Siliconix  
New Product  
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D 100% Rg Tested  
APPLICATIONS  
0.0095 @ V = 10 V  
12.2  
9.4  
GS  
30  
0.016 @ V = 4.5 V  
GS  
D DC/DC Conversion  
D Load Switching  
SO-8  
D
1
D
2
S
G
S
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
1
1
2
2
G
1
G
2
G
Top View  
S
1
S
2
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
Ordering Information: Si4944DY  
Si4944DY-T1 (with Tape and Reel)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
30  
DS  
V
V
GS  
"20  
T
= 25_C  
= 85_C  
12.2  
8.8  
9.3  
6.7  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
30  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
1.9  
2.3  
1.2  
1.1  
1.3  
0.7  
S
T
= 25_C  
= 85_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
42  
75  
19  
55  
95  
25  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72512  
S-32131—Rev. A, 27-Oct-03  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4944DY-T1-E3 VISHAY

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