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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.7 |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.085 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4948BEY | VISHAY |
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Dual P-Channel 60-V (D-S) 175 MOSFET |
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| SI4948BEY | UMW |
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种类:P+P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25 |
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| SI4948BEY_05 | VISHAY |
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Dual P-Channel 60-V (D-S) 175 Celsius MOSFET |
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| SI4948BEY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 60-V (D-S) 175 MOSFET |
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| SI4948BEY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 60-V (D-S) 175 MOSFET |
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| SI4948BEY-T1-GE3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 60V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| SI4948DY | TEMIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 60V, 2-Element, P-Channel, Silicon, |
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| SI4948EY | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET |
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| SI4948EY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.12ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| SI4949EY | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 60V, 0.055ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe |
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