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SI4948BEY-T1-GE3 PDF预览

SI4948BEY-T1-GE3

更新时间： 2024-11-06 21:01:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 167K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 60V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8

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SI4948BEY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：3.05
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：2.4 A最大漏源导通电阻：0.12 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4948BEY-T1-GE3 数据手册

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Si4948BEY  
Vishay Siliconix  
Dual P-Channel 60-V (D-S) 175° MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
- 3.1  
- 2.8  
Definition  
0.120 at VGS = - 10 V  
0.150 at VGS = - 4.5 V  
TrenchFET® Power MOSFET  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
- 60  
•
•
S
1
S
2
SO-8  
S
G
S
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
1
1
2
2
G
G
2
1
G
Top View  
D
1
D
2
Ordering Information:  
Si4948BEY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4948BEY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
- 60  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
- 3.1  
- 2.6  
- 2.4  
- 2.0  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
- 25  
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
Avalanche Current  
- 2  
- 1.1  
IAS  
EAS  
15  
11  
L = 0.1 mH  
Single Pulse Avalanche Energy  
mJ  
W
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
2.4  
1.7  
1.4  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
0.95  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 175  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
53  
Maximum  
62.5  
Unit  
t ≤ 10 s  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
85  
110  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot  
30  
37  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 72847  
S09-1002-Rev. B, 01-Jun-09  
www.vishay.com  
1
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SI4948BEY-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4948BEY-T1-E3 VISHAY

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SI4948DY TEMIC

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