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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.32 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.9 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.0029 A | 最大漏源导通电阻： | 0.105 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 65 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDS9958 | ONSEMI |
类似代替  |
-60V双P沟道PowerTrench® MOSFET |
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| FDS9958_F085 | FAIRCHILD |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 60V, 0.105ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| SI4948BEY-T1-GE3 | VISHAY |
功能相似 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 60V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDS9958_F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 60V, 0.105ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| FDS9958F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET |
|
| FDS9958-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
双 P 沟道，Power Trench® MOSFET，-60V，-2.9A，105mΩ |
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| FDS99RU | FS |
获取价格 |
Dual Serise Switching Diodes |
|
| FDS99RU3 | FS |
获取价格 |
Dual Serise Switching Diodes |
|
| FDS99S | FS |
获取价格 |
Dual Series Switching Diode |
|
| FDS99S3 | FS |
获取价格 |
Dual Series Switching Diode |
|
| FDS99U | FS |
获取价格 |
Dual Serise Switching Diodes |
|
| FDS99U3 | FS |
获取价格 |
Dual Serise Switching Diodes |
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| FDSAS2062 | PERICOM |
获取价格 |
2.5V CMOS Low-Jitter 62.5 MHz SAS-2 XO |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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