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SI4947DY

更新时间： 2024-09-15 22:50:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 47K
描述
Dual P-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET

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SI4947DY 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SOP-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A
最大漏源导通电阻：0.085 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4947DY 数据手册

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Si4947DY  
Dual P-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET  
Product Summary  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.085 @ V = –10 V  
"3.5  
"2.5  
GS  
–30  
0.19 @ V = –4.5 V  
GS  
S
1
S
2
SO-8  
S
G
S
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
1
1
2
2
1
1
2
2
G
G
2
1
G
Top View  
D
D
2
1
P-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
Absolute Maximum Ratings (TA = 25_C Unless Otherwise Noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
–30  
DS  
GS  
V
"20  
T
= 25_C  
= 70_C  
"3.5  
"2.8  
"20  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
S
–1.7  
T
= 25_C  
= 70_C  
2.0  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
1.3  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
–55 to 150  
_C  
stg  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
62.5  
_C/W  
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.  
Updates to this data sheet may be obtained via facsimile by calling Siliconix FaxBack, 1-408-970-5600. Please request FaxBack document #70156.  
A SPICE Model data sheet is available for this product (FaxBack document #70554).  
Siliconix  
1
S-49520—Rev. C, 18-Dec-96  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4947DY-T1 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
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