SI4947ADY

更新时间： 2024-09-15 22:50:19

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
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4页	64K
描述
Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI4947ADY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.88
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

SI4947ADY 数据手册

Si4947ADY

Vishay Siliconix

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.080 @ V = -10 V

-3.9

-3.0

-30

0.135 @ V = -4.5

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4947ADY

Si4947ADY-T1 (with Tape and Reel)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-30

"20

= 25_C

= 70_C

-3.0

-2.4

-3.9

-3.1

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

-20

continuous Source Current (Diode Conduction)

-1.7

2.0

-1.0

1.2

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

1.3

0.76

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

62.5

105

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71101

S-31989—Rev. C, 13-Oct-03

www.vishay.com

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