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SI4936DY-E3

更新时间: 2024-11-09 15:51:11
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威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
4页 132K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

SI4936DY-E3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.82配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):5.8 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):2 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)Base Number Matches:1

SI4936DY-E3 数据手册

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