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Datasheet > SI4943CDY-T1-E3
SI4943CDY-T1-E3 PDF预览

SI4943CDY-T1-E3

更新时间： 2024-09-16 21:01:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 193K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SOP-8

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SI4943CDY-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：7.27
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.0192 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4943CDY-T1-E3 数据手册

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New Product  
Si4943CDY  
Vishay Siliconix  
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a, e  
Definition  
0.0192 at VGS = - 10 V  
0.0330 at VGS = - 4.5 V  
- 8  
- 8  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg and UIS Tested  
- 20  
20  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
•
Load Switching  
- Computer  
SO-8  
S
1
S
2
- Game Systems  
Battery Switching  
- 2-Cell Li-Ion  
S
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
1
1
2
2
•
G
S
G
G
2
1
G
Top View  
D
D
2
1
Ordering Information: Si4943CDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4943CDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
- 20  
20  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
- 8e  
- 8e  
T
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
- 8b, c, e  
- 6.7b, c  
- 30  
- 2.5  
- 1.7b, c  
- 30  
- 11  
6
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
IDM  
IS  
A
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Source-Drain Current Diode Current  
Pulsed Sorce-Drain Current  
T
C = 25 °C  
A = 25 °C  
T
ISM  
IAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Single-Pulse Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
EAS  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
3.1  
2
2b, c  
PD  
Maximum Power Dissipation  
1.28b, c  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 50 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Limit  
Maximum  
62.5  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Symbol  
RthJA  
RthJF  
Typical  
50  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
°C/W  
30  
40  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 110 °C/W.  
e. Package Limited.  
Document Number: 69985  
S09-0704-Rev. B, 27-Apr-09  
www.vishay.com  
1
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SI4943CDY-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4943CDY-T1-GE3 VISHAY

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SI4943DY VISHAY

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SI4944DY VISHAY

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 		Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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 		Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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 		Trans MOSFET N-CH 30V 9.3A 8-Pin SOIC N T/R
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