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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI4936DY
SI4936DY PDF预览

SI4936DY

更新时间： 2024-11-08 22:33:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 240K
描述
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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SI4936DY 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.63Is Samacsys：N
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.8 A最大漏极电流 (ID)：5.8 A
最大漏源导通电阻：0.037 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4936DY 数据手册

 浏览型号SI4936DY的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI4936DY的Datasheet PDF文件第3页 
June 1999  
Si4936DY*  
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are  
produced using Fairchild Semiconductor's advance  
process that has been especially tailored to minimize  
on-state resistance and yet maintain superior switching  
performance.  
• 5.8 A, 30 V. RDS(ON) = 0.037 Ω @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 0.055 Ω @ VGS = 4.5 V  
• Low gate charge.  
• Fast switching speed.  
These devices are well suited for low voltage and  
battery powered applications where low in-line power  
loss and fast switching are required.  
• High power and current handling capability.  
Applications  
• Battery switch  
• Load switch  
• Motor controls  
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4XDQWLW\  
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ꢂ
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
Si4936DY Rev. A  
123

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SI4936DY 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4936DY VISHAY

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