SI4931DY-E3

更新时间： 2024-11-08 22:09:39

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	71K
描述
Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

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SI4931DY-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.7 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

SI4931DY-E3 数据手册

Si4931DY

Vishay Siliconix

New Product

Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D Advanced High Cell Density Process

APPLICATIONS

0.018 @ V = −4.5 V

−8.9

−8.1

−3.6

D Load Switching

−12

0.022 @ V = −2.5

0.028 @ V = −1.8

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4931DY—E3

Si4931DY-T1—E3 (with Tape and Reel)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

−12

= 25_C

= 70_C

−6.7

−5.4

−8.9

−7.1

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

−30

continuous Source Current (Diode Conduction)

−1.7

2.0

−0.9

1.1

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

1.3

0.7

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

62.5

110

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1 ” x 1” FR4 Board.

Document Number: 72379

S-32411—Rev. B, 24-Nov-03

www.vishay.com

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