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SI4926DY

更新时间： 2024-11-09 09:26:03

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威世 - VISHAY		/
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7页	80K
描述
Asymmetrical Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI4926DY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.88	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.4 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI4926DY 数据手册

Si4926DY

Vishay Siliconix

New Product

Asymmetrical Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.022 @ V = 10 V

6.3

5.4

Channel-1

Channel-2

0.030 @ V = 4.5 V

0.0125 @ V = 10 V

10.5

9.0

0.017 @ V = 4.5 V

SO-8

Top View

N-Channel 1

MOSFET

N-Channel 2

MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Channel 1

Channel 2

10 secs

Steady State 10 secs

Steady State

Parameter

Symbol

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

= 25_C

= 70_C

6.3

5.4

5.3

4.2

10.5

8.5

7.5

6.0

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

1.3

1.4

0.9

1.0

2.2

2.4

1.5

1.15

= 25_C

= 70_C

1.25

Maximum Power Dissipation

0.64

0.80

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Channel 1

Channel 2

Typ

Max

Typ

Max

Parameter

Symbol

Unit

t v 10 sec

Steady-State

100

125

100

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJC

C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71143

S-00238—Rev. A, 21-Feb-00

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

2-1

12 3 4 5 6 7

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