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SI4926DY-T1

更新时间： 2024-09-16 14:44:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 136K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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SI4926DY-T1 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：5.3 A
最大漏源导通电阻：0.022 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4926DY-T1 数据手册

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Si4926DY  
Vishay Siliconix  
New Product  
Asymmetrical Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.022 @ V = 10 V  
6.3  
5.4  
GS  
Channel-1  
Channel-2  
0.030 @ V = 4.5 V  
GS  
30  
0.0125 @ V = 10 V  
10.5  
9.0  
GS  
0.017 @ V = 4.5 V  
GS  
D
1
D
2
D
2
D
2
SO-8  
S
1
D
1
D
2
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
G
1
G
1
G
2
S
2
G
2
S
1
S
2
Top View  
N-Channel 1  
MOSFET  
N-Channel 2  
MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Channel 1  
Channel 2  
10 secs  
Steady State 10 secs  
Steady State  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
30  
20  
DS  
GS  
V
V
T
= 25_C  
= 70_C  
6.3  
5.4  
5.3  
4.2  
10.5  
8.5  
7.5  
6.0  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
30  
40  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
1.3  
1.4  
0.9  
0.9  
1.0  
2.2  
2.4  
1.5  
1.15  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
1.25  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
0.64  
0.80  
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Channel 1  
Channel 2  
Typ  
Max  
Typ  
Max  
Parameter  
Symbol  
Unit  
t v 10 sec  
Steady-State  
Steady-State  
72  
100  
51  
90  
125  
63  
43  
82  
25  
53  
100  
30  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
thJC  
_
C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
R
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71143  
S-00238—Rev. A, 21-Feb-00  
www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600  
2-1  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4927DY VISHAY

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 		P-Channel 30-V (D-S) Battery Switch
SI4927DY-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me
SI4927DY-T1 VISHAY

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 		Transistor,
SI4927DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me
SI4931DY VISHAY

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 		Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI4931DY-T1-GE3 VISHAY

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 		Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R

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