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SI4804BDY-T1-E3

更新时间： 2024-11-06 12:46:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
9页 254K
描述
Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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SI4804BDY-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.09
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：5.7 A最大漏源导通电阻：0.022 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4804BDY-T1-E3 数据手册

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Si4804BDY  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
7.5  
Definition  
0.022 at VGS = 10 V  
0.030 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
PWM Optimized  
30  
6.5  
100 % Rg Tested  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
Symmetrical Buck-Boost DC/DC Converter  
•
D
1
D
2
SO-8  
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
G
1
S
2
G
G
2
1
G
2
Top View  
S
1
S
2
Ordering Information: Si4804BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4804BDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
30  
V
VGS  
20  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
7.5  
6.0  
5.7  
4.6  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
Single Pulse Avalanche Current  
1.7  
0.9  
IAS  
EAS  
10  
5
L = 0.1 mH  
Single Pulse Avalanche Energy  
mJ  
W
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
2.0  
1.3  
1.1  
0.7  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Limits  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Unit  
Typ.  
52  
Max.  
62.5  
110  
40  
t ≤ 10 s  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Steady State  
Steady State  
93  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
35  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 72061  
S10-0461-Rev. G, 22-Feb-10  
www.vishay.com  
1
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与SI4804BDY-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4804BDY-T1-GE3 VISHAY

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