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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI4922BDY-T1-E3
SI4922BDY-T1-E3 PDF预览

SI4922BDY-T1-E3

更新时间： 2024-09-15 12:28:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 254K
描述
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI4922BDY-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：7.3Is Samacsys：N
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.024 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4922BDY-T1-E3 数据手册

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Si4922BDY  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a, e  
Definition  
0.016 at VGS = 10 V  
0.018 at VGS = 4.5 V  
0.024 at VGS = 2.5 V  
8
8
8
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg and UIS tested  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
30  
19  
D
1
D
2
SO-8  
S
D
D
D
D
1
8
7
6
5
1
1
2
2
1
G
S
2
3
4
1
2
2
G
G
2
1
G
Top View  
S
S
2
1
Ordering Information: Si4922BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4922BDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
30  
12  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
8e  
8e  
8b, c, e  
6.6b, c  
35  
T
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
IDM  
IS  
A
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Source-Drain Current Diode Current  
Pulsed Sorce-Drain Current  
T
C = 25 °C  
A = 25 °C  
2.5  
1.7b, c  
T
ISM  
IAS  
35  
15  
Single Pulse Avalanche Current  
Single-Pulse Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
EAS  
11.2  
3.1  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
2
2b, c  
PD  
Maximum Power Dissipation  
1.28b, c  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 50 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Limit  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Symbol  
RthJA  
RthJF  
Typical  
50  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
62.5  
40  
°C/W  
30  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 110 °C/W.  
e. Package Limited.  
Document Number: 74459  
S09-0704-Rev. B, 27-Apr-09  
www.vishay.com  
1
1234567...10

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与SI4922BDY-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4922BDY-T1-GE3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
SI4922DY VISHAY

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 		SPICE Device Model Si4922DY
SI4922DY-T1 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4923DY VISHAY

获取价格

 		Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4923DY-T1 VISHAY

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 		Transistor
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SI4924DY VISHAY

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 		Asymetrical Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4925 FAIRCHILD

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 		Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET

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