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SI4923DY-T1

更新时间： 2024-09-16 15:51:11

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威世 - VISHAY		/
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6页	103K
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Transistor

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SI4923DY-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.2 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

SI4923DY-T1 数据手册

Si4923DY

Vishay Siliconix

New Product

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

•

PRODUCT SUMMARY

TrenchFET^®Power MOSFET

V_DS(V)

r_DS(on)(Ω)

I_D(A)

- 8.3

- 6.8

Pb-free

•

Advanced High Cell Density Process

0.021 at V_GS= - 10 V

0.031 at V_GS= - 4.5 V

Available

- 30

RoHS*

APPLICATIONS

COMPLIANT

•

Load Switches

- Notebook PCs

- Desktop PCs

- Game Stations

•

Battery Switch

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4923DY-T1

Si4923DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

10 sec

Steady State

- 30

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

- 8.3

- 6.6

- 6.2

- 5.0

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

- 30

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

- 1.7

2.0

- 0.9

1.1

T_A= 25 °C

Maximum Power Dissipation^a

P_D

T_A= 70 °C

1.3

0.7

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 150

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

62.5

Unit

t ≤ 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient^a

R_thJA

110

°C/W

R_thJF

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes:

a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 Board.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.

Document Number: 72069

S-61006-Rev. B, 12-Jun-06

www.vishay.com

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