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SI4924DY-E3

更新时间： 2024-11-06 21:05:59

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
8页	83K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI4924DY-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.3 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.4 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

SI4924DY-E3 数据手册

Si4924DY

Vishay Siliconix

Asymetrical Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.022 @ V = 10 V

6.3

5.4

11.5

Channel-1

Channel-2

0.030 @ V = 4.5 V

0.0105 @ V = 10 V

0.0145 @ V = 4.5 V

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4924DY

Si4924DY-T1 (with Tape and Reel)

N-Channel 1

MOSFET

N-Channel 2

MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Channel-1

Channel-2

10 secs

Steady State 10 secs

Steady State

Parameter

Symbol

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 70_C

6.3

5.4

5.3

4.2

11.5

9.5

8.6

6.9

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

1.3

1.4

0.9

1.0

2.2

2.4

1.5

1.15

= 25_C

= 70_C

1.25

Maximum Power Dissipation

0.64

0.80

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Channel-1

Channel-2

Typ

Max

Typ

Max

Parameter

Symbol

Unit

t v 10 sec

100

125

100

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJC

Steady-State

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Steady-State

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71163

S-03950—Rev. B, 26-May-03

www.vishay.com

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