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SI4925DY-E3

更新时间： 2024-09-16 15:51:11

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威世 - VISHAY		/
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5页	72K
描述
Transistor,

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SI4925DY-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.7 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

SI4925DY-E3 数据手册

Si4925DY

Vishay Siliconix

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

Pb-free

Available

0.032 @ V = −10 V

−6.3

−5.3

−30

0.045 @ V = −4.5 V

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4925DY

Si4925DY-T1 (with Tape and Reel)

Si4925DY—E3 (Lead (Pb)-Free)

Si4925DY-T1—E3 (Lead (Pb)-Free with Tape and Reel)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

−30

"20

= 25_C

= 70_C

−6.3

−5.0

−4.7

−3.7

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

−40

Continuous Source Current (Diode Conduction)

−1.7

−0.9

1.1

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

1.3

0.70

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typ

Max

Unit

t v 10 sec

Steady-State

62.5

110

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

Document Number: 71795

S-50402—Rev. E, 07-Mar-05

www.vishay.com

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