SI4923DY

更新时间： 2024-11-05 21:53:43

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描述
Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI4923DY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.63
Is Samacsys：	N	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.2 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI4923DY 数据手册

Si4923DY

Vishay Siliconix

New Product

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

D Advanced High Cell Density Process

APPLICATIONS

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.021 @ V

= -10 V

-8.3

-30

D Load Switches

- Notebook PCs

- Desktop PCs

- Game Stations

D Battery Switch

0.031 @ V = -4.5

- 6.8

SO-8

Top View

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-30

"20

= 25_C

= 70_C

-6.2

-5.0

- 8.3

-6.6

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

-30

continuous Source Current (Diode Conduction)

-1.7

2.0

1.3

-0.9

1.1

0.7

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

62.5

110

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1 ” x 1” FR4 Board.

Document Number: 72069

S-22120—Rev. A, 25-Nov-02

www.vishay.com

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