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SI4922DY-T1

更新时间： 2024-11-06 20:01:59

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威世 - VISHAY		/
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5页	74K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI4922DY-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.7 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.1 W	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

SI4922DY-T1 数据手册

Si4922DY

Vishay Siliconix

New Product

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.016 @ V = 10 V

8.8

8.3

7.2

0.018 @ V = 4.5 V

0.024 @ V = 2.5 V

SO-8

Top View

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"12

= 25_C

= 70_C

8.8

7.1

6.7

5.3

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

"30

Continuous Source Current (Diode Conduction)

1.7

2.0

1.3

0.9

1.1

0.7

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

62.5

110

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71309

S-20112—Rev. B, 11-Mar-02

www.vishay.com

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