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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI9934BDY-T1-E3
SI9934BDY-T1-E3 PDF预览

SI9934BDY-T1-E3

更新时间： 2024-11-26 22:33:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 57K
描述
Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

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SI9934BDY-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.72配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：12 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.8 A
最大漏极电流 (ID)：4.8 A最大漏源导通电阻：0.035 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI9934BDY-T1-E3 数据手册

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Si9934BDY  
Vishay Siliconix  
Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
FEATURES  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D TrenchFETr Power MOSFET  
0.035 @ V = −4.5 V  
−6.4  
−5.1  
GS  
−12  
0.056 @ V = −2.5  
V
GS  
S
1
S
2
SO-8  
S
G
S
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
1
1
2
2
G
G
2
1
7
6
5
G
Top View  
D
1
D
2
Ordering Information: Si9934BDY—E3  
Si9934BDY-T1—E3 (with Tape and Reel)  
P-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
−12  
DS  
V
V
GS  
"8  
T
= 25_C  
= 70_C  
−4.8  
−3.9  
−6.4  
−5.1  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
DM  
−20  
a
continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
−1.7  
2.0  
−0.9  
1.1  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
1.3  
0.7  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
55  
90  
33  
62.5  
110  
40  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
R
thJA  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
thJF  
Notes  
a. Surface Mounted on 1 ” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72525  
S-41578—Rev. C, 23-Aug-04  
www.vishay.com  
1
12345

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SI9934BDY-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI9934BDY-T1-GE3 VISHAY

完全替代

 TRANSISTOR 4800 mA, 12 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND
SI4913DY-T1-E3 VISHAY

类似代替

 TRANSISTOR 7100 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT,

与SI9934BDY-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI9934BDY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 4800 mA, 12 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND
SI9934DY VISHAY

获取价格

 		Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9934DY FAIRCHILD

获取价格

 		Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI9934DYD84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI9934DY-E3 VISHAY

获取价格

 		Transistor
SI9934DYL99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI9934DY-NL FAIRCHILD

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 		Transistor
SI9934DYS62Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI9934DY-T1 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
SI9936BDY VISHAY

获取价格

 		SPICE Device Model Si9936BDY

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