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SI9933DY

更新时间: 2024-09-13 22:33:55
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 226K
描述
Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET

SI9933DY 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.67Is Samacsys:N
最小漏源击穿电压:20 V最大漏极电流 (ID):3.4 A
最大漏源导通电阻:0.19 ΩJESD-30 代码:R-PDSO-G8
元件数量:2端子数量:8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SI9933DY 数据手册

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