是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOT | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.78 |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 12 V |
最大漏极电流 (ID): | 4.8 A | 最大漏源导通电阻: | 0.035 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e0 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI9934BDY_06 | VISHAY |
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Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET | |
SI9934BDY-E3 | VISHAY |
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Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET | |
SI9934BDY-T1-E3 | VISHAY |
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Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET | |
SI9934BDY-T1-GE3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 4800 mA, 12 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND | |
SI9934DY | VISHAY |
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Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET | |
SI9934DY | FAIRCHILD |
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Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
SI9934DYD84Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
SI9934DY-E3 | VISHAY |
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Transistor | |
SI9934DYL99Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
SI9934DY-NL | FAIRCHILD |
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Transistor |