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SI9926DY

更新时间： 2024-09-14 20:32:47

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	61K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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SI9926DY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.89	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI9926DY 数据手册

Si9926DY

Vishay Siliconix

Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D 100% R_gTested

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.03 @ V = 4.5 V

0.04 @ V = 2.5 V

5.2

SO-8

Top View

Ordering Information: Si9926DY

Si9926DY-T1 (with Tape and Reel)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"10

= 25_C

= 70_C

Continuous Drain Current (T = 150_C)

4.8

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

1.7

= 25_C

= 70_C

2.0

Maximum Power Dissipation

1.3

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

62.5

_C/W

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

Document Number: 70162

S-31726—Rev. G, 18-Aug-03

www.vishay.com

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