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SI9934DYD84Z

更新时间： 2024-09-15 14:31:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 52K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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SI9934DYD84Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.36
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：0.05 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI9934DYD84Z 数据手册

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January 2001  
Si9934DY  
Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged  
gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced  
PowerTrench process. It has been optimized for power  
management applications with a wide range of gate  
drive voltage (2.5V – 12V).  
• –5 A, –20 V, RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = –4.5 V  
RDS(ON) = 74 mΩ @ VGS = –2.5 V  
• Extended VGSS range (±12V) for battery applications  
• Low gate charge  
Applications  
•
•
•
•
Load switch  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Motor drive  
DC/DC conversion  
Power management  
• High power and current handling capability  
D1  
5
6
7
8
4
3
2
1
D1  
D2  
Q1  
Q2  
D2  
G1  
SO-8  
S1  
G2  
S2  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
–20  
V
V
A
±12  
–5  
VGSS  
Gate-Source Voltage  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
–30  
PD  
W
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.6  
1
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +175  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
9934  
Si9934DY  
13’’  
12mm  
2500 units  
Si9934DY Rev A(W)  
2001 Fairchild Semiconductor International  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI9934DY-E3 VISHAY

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