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SI9936DYL99Z

更新时间： 2024-09-15 15:51:15

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	240K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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SI9936DYL99Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.36
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.05 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI9936DYL99Z 数据手册

June 1999

Si9936DY*

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

General Description

Features

These N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are

produced using Fairchild Semiconductor's advance

process that has been especially tailored to minimize

on-state resistance and yet maintain superior switching

performance.

5.0 A, 30 V. R_DS(ON)= 0.050 Ω @ V_GS= 10 V

R_DS(ON)= 0.080 Ω @ V_GS= 4.5 V

Low gate charge.

Fast switching speed.

These devices are well suited for low voltage and

battery powered applications where low in-line power

loss and fast switching are required.

High power and current handling capability.

Applications

Battery switch

Load switch

Motor controls

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ꢂ

1999 Fairchild Semiconductor Corporation

Si9936DY Rev. A

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI9936DYS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI9936DY-T1	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
SI9936DY-T1-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Silicon, LEAD FREE, SOP-8
SI9939DY	VISHAY	获取价格	Complimentary 30-V (D-S) MOSFET
SI9939DY-T1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
SI9939DY-T1-E3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
SI9940DY	TEMIC	获取价格	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
SI9940DY	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI9940DY-T1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI9942DY	VISHAY	获取价格	Complimentary 20-V (D-S) MOSFET